EEPROM。

　　PROM只能写入一次。

　　EPROM可通过特定强度的紫外线照射芯片使其还原。就是大家见过的，在芯片的表面开一个窗口，用于紫外线擦除。

　　EEPROM是电可擦写只读存储器，是现在的主流应用，NORFLASH和NANDFLASH归类到这个大类里。

　　NORFLASH读取速度快，单位成本高，可直接运行代码，更偏向于片内代码存储。

　　NANDFLASH容量大，读取速度较慢，单位成本低，更偏向于大容量存储，但是容易出错，需要配合安全算法。

　　U盘就是NANDFLASH。

　　前身上大学的时候学习过PMOS、NMOS和浮栅MOS的制造原理，对PROM和EPROM没有了解。而且既然知道后世的发展方向，所以李国成选择直接研究NORFLASH。

　　主要的原因是NORFLASH更适合放入芯片内部，以后芯片内部直接设计程序存储FLASH。

　　FLASH原理比较简单，在G极和D/S沟道之间加入一个浮栅，浮栅类似一个被绝缘体包裹的电极，在浮栅上注入电荷，D/S沟道导通，代表‘0’；放电，D/S沟道关闭，代表‘1’。

　　因为浮栅绝缘，所以电荷不易丢失。

　　李国成之前没有选择研究FLASH，主要原因是对如何在PMOS上植入一个浮栅没有思路，但是现在绕不过去，只能硬着头皮上了。

　　接下来的时间，李国成主要的工作就是研究如何植入浮栅。

　　李国成构思了几个方案，脑海仿真不通过放弃了3个，剩下两个实际生产中放弃。

　　生产放弃的比如封装时植入绝缘层，然后再植入一个电极。实际操作时，无法满足工业化生产，工序太复杂，对人的操作能力要求太高。

　　时间很快就过去10天，无计可施的李国成溜达到光刻间，看着张头正在氧化晶圆。看着看着，突然笑了起来，真是得了全不费功夫。

　　二次氧化就能完美地解决这个问题，工业化生产工艺也成熟，只是增加一道氧化工序。

　　想到就干，只用了一天时间，一个FLASH单元就制作完成，实际测试，各项指标完全满足设计需求。

　　接下了的工作就非常简单，比DRAM少了一个NMOS，同样的三层结构，容量直接做到了1MB，比DRAM都大。

　　接口采用并口，可以直接挂载到CPU的外部总线上。

　　李国成又用1周的时间就完成了芯片的设计和仿真。正准备雕刻掩膜板时，吴连奎电话通知，晚上参加部里组织的交流班。

　　李国成走出办公室，来到隔壁软件组，“小周，通知大家，晚上记得上课，不要迟到”。

　　“时间太急了，我们怎么去啊”，周晓娟苦恼道。

　　“喊上大家，我们早一点吃晚饭，今天吴主任已经和食堂打过招呼了”。

　　话音一落，周晓娟高兴地拿着饭盒跑着通知其他二人。

　　饭后，刚好下班，4个人三辆自行车，闫解放骑车带上张芷静，一路风驰电掣，6点一刻终于赶到了部里培训点。

　　第四会议室已经被改成教室的样子，一排桌子，一排长凳。主席台上立着一个大木板做成的黑板。

　　4人来的不早不晚，教室里现在只有10几个人，分出了4堆，互不相干，应该是来之4个单位。

　　李国成让他们三人坐到第一排，他自己坐到了最后一排。

　　之后十分钟陆续涌进来20几人，教室座位全部坐满。李国成简单搂了一眼，差不多35人左右。

　　这时，会议室门被推开，一股冷风把一个中年人送了进来。

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　　不好意思，昨天事太多，打破了既往节奏，现在才发第一章，见谅。

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